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公开/公告号CN115586669A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 西南科技大学;
申请/专利号CN202211329933.6
发明设计人 竹文坤;何嵘;陈涛;刘欢欢;雷佳;孙囡;李瑞;杨帆;
申请日2022-10-27
分类号G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;G02F1/1337;H01L27/12;
代理机构绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张忠庆
地址 621010 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号
入库时间 2023-06-19 18:16:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-10
公开
发明专利申请公布
机译: 制备IGZO颗粒的方法和使用该IGZO颗粒的制备IGZO膜的方法
机译: 包括IGZO /金属/ IGZO多层结构的IGZO // IGZO透明薄膜晶体管及其制备方法
机译:使用高迁移率IGZO材料制造5.5英寸4K2K液晶面板
机译:夏普开发的IGZO高清晰度736ppi液晶面板
机译:通过溶液方法制备的IGZO-TFT的臭氧暴露的浓度反应性
机译:低温溶液处理低压IGZO TFT的制备,表征和应用
机译:结晶IGZO薄膜的制备与性能
机译:通过溶液技术制备的氧化铈的物理性质和电导率依赖于烧结陶瓷的氧分压,制备了具有热量的氧化铈的物理性质的制备方法,制备方法和制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法
机译:极细高温合金粉末的制备方法及211高温合金零件的制备