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IGZO液晶面板制备方法

摘要

本发明公开了一种IGZO TFT液晶面板制备方法,包括:步骤一,制备IGZO TFT阵列基板;步骤二,制备CF彩膜基板;步骤三,通过Cell成盒工艺对阵列基板、彩膜基板进行成盒处理;所述阵列基板的制程中包括对栅极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、刻蚀阻挡层、钝化层的优化,且优化过程被配置为包括:通过先在玻璃基板上溅射栅极材料膜,经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案;通过溅射成膜法得到ITO膜,再经掩膜曝光及湿法蚀刻构成显示电极图案,得到刻蚀阻挡层。本发明提供一种IGZO TFT液晶面板制备方法,IGZO TFT液晶面板的制备工艺主要面向50英寸以上IGZO电视液晶显示面板,在制备中通过增加钝化层等膜层结构设计,对膜基结合力和膜抗氧化等性能进行提升。

著录项

  • 公开/公告号CN115586669A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南科技大学;

    申请/专利号CN202211329933.6

  • 申请日2022-10-27

  • 分类号G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;G02F1/1337;H01L27/12;

  • 代理机构绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张忠庆

  • 地址 621010 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号

  • 入库时间 2023-06-19 18:16:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-10

    公开

    发明专利申请公布

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