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公开/公告号CN115513327A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-23
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN202211226842.X
发明设计人 张晓晖;刘康;刘本建;朱嘉琦;代兵;韩杰才;
申请日2022-10-09
分类号H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18;
代理机构哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;
代理人侯静
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 18:03:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-23
公开
发明专利申请公布
机译: 具有预定势垒高度的肖特基二极管触点的制备方法
机译: 利用有机超分子自组装获得的纳米粉体及紫外光谱法制备碳纳米管阵列的方法及利用碳纳米管阵列制备碳纳米管生物纳米阵列的方法
机译: 利用生物质资源衍生的长链双羧酸制备紫外光固化低聚物的方法和使用相同的紫外光固化涂料组合物
机译:薄膜ZnO肖特基接触式紫外光电探测器的制备与表征:比较研究
机译:镍基肖特基型Al_xGa_(1-x)N紫外光探测器在不同缓冲条件下的制备与表征
机译:基于Al {sub} 0.5Ga {sub} 0.5N的肖特基紫外光电探测器的制备及其光谱响应性
机译:纳米结构薄膜ZnO肖特基接触式紫外光电探测器的制备与表征
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:利用微生物的天然原位制备功能性细菌纤维素的方法
机译:利用掺杂的硅界面控制层控制肖特基势垒高度的新型侧面超晶格结构的制备与表征
机译:利用导纳技术测量Gaas肖特基势垒的界面态:与势垒高度不稳定性的关系