绿光发光二极管外延片及其制备方法、绿光发光二极管

摘要

本发明公开了一种绿光发光二极管外延片及其制备方法、绿光发光二极管，涉及半导体光电器件领域。绿光发光二极管包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个所述量子阱层包括多个InN纳米棒和包裹于所述InN纳米棒上的InGaN包覆层。实施本发明，可提升绿光发光二极管的发光效率、波长均匀性。