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在运行中具有改善的性能并且在功率芯片布置中具有改善的灵活性的半导体器件

摘要

本公开提供一种在运行中具有改善的性能并且在功率芯片布置中具有改善的灵活性的半导体器件。该半导体器件包括:绝缘内插器,所述绝缘内插器包括设置于第一上金属层和第二下金属层之间的绝缘层;附接到第一上金属层的至少一个半导体晶体管管芯,所述半导体晶体管管芯包括第一主面和与第一主面相反的第二主面、以及设置于第一主面上并且电连接到绝缘内插器的第一金属层的漏极或集电极焊盘、设置于第二主面上的源极或发射电极焊盘、以及设置于所述第二主面上的栅电极焊盘;连接到所述绝缘内插器的引线框架,所述引线框架包括多个引线,其中,第一引线与所述绝缘内插器的所述第一上金属层连接,第二引线通过至少一个第一电连接器与所述源极电极焊盘连接。

著录项

  • 公开/公告号CN115411010A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN202210585079.3

  • 申请日2022-05-26

  • 分类号H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/485;H01L25/07;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人林金朝

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2023-06-19 17:46:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-29

    公开

    发明专利申请公布

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