首页> 中国专利> 一种相场-微磁学耦合模拟方法、系统、装置及存储介质

一种相场-微磁学耦合模拟方法、系统、装置及存储介质

摘要

本发明公开了一种相场‑微磁学耦合模拟方法、系统、装置及存储介质,其中方法包括:根据研究体系确立相场模型,对多元多相体系的系统总自由能进行描述;确定多元多相体系中的场变量,建立多场变量‑多元相场的动力学方程;对相场动力学方程进行离散迭代求解,输出多元多相磁性材料的微观组织的演化过程和结果;基于相场模拟结果建立微磁学模拟模型,耦合相场模拟结果输出特定微观组织下的磁性能曲线图,建立磁性材料成分‑制备工艺‑微观组织‑磁性能之间的关系全链条。本发明将相场模拟和微磁学模拟两种跨尺度的计算方法进行耦合模拟研究,可以全方面系统研究材料相关的问题。本发明可广泛应用于相场法和微磁学模拟领域。

著录项

  • 公开/公告号CN115358043A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202210799412.0

  • 申请日2022-07-08

  • 分类号G06F30/20;G06F119/08;G06F119/14;

  • 代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人郑宏谋

  • 地址 510641 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 17:38:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-18

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号