法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-08
公开
发明专利申请公布
机译: 至少含有一个半geleidersubstraatlichaam halfge-leiderlaag富集至少有一个隔离区,半geleiderlaag嵌入局部加热通过加热氧化的一半的gelderdermateriaal halfgeleiderlaag形成绝缘材料和一种工作方法。
机译: 至少含有一个半geleidersubstraatlichaam halfge-leiderlaag富集至少有一个隔离区,半geleiderlaag嵌入局部加热通过加热氧化的一半的gelderdermateriaal halfgeleiderlaag形成绝缘材料和一种工作方法。
机译: 至少含有一个半geleidersubstraatlichaam halfge-leiderlaag富集至少有一个隔离区,半geleiderlaag嵌入局部加热通过加热氧化的一半的gelderdermateriaal halfgeleiderlaag形成绝缘材料和一种工作方法。