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公开/公告号CN115275110A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 广东嘉拓自动化技术有限公司;
申请/专利号CN202210651877.1
发明设计人 宋海威;王凯;刘嘉兵;周研;张冬;
申请日2022-06-09
分类号H01M4/139;H01M4/13;H01M10/052;
代理机构深圳市深可信专利代理有限公司;
代理人杨伟
地址 518000 广东省肇庆市高要区莲塘镇镇前东路2号第三层
入库时间 2023-06-19 17:24:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-01
公开
发明专利申请公布
机译: 锌电解质盐干法制二氧化锰的电池正极制备工艺。
机译: 一种乏氧压榨干法PWR乏燃料干法氧化还原工艺CANDU核燃料芯块的制备方法及添加剂
机译: 制备用于半导体衬底结构化的辅助掩模的方法,提供用于硅晶片的光致抗蚀剂膜,用于制造深沟槽晶体管的沟槽,以及用作干法蚀刻工艺的掩模
机译:沉积温度和热退火对半导体器件干法刻蚀工艺中a-C:H膜干法刻蚀速率的影响
机译:由(C_6H_12)/ Ar / He化学沉积的非晶碳膜的制备和分析,用作半导体制造工艺中的干法蚀刻硬掩模
机译:新兴的多学科应用中干法工艺的进展和前景:我们如何改善干法工艺的使用?
机译:与通过湿法和干法成膜使用Ta_2O_5薄膜制造电阻变化型器件的比较
机译:通过Pechini工艺制备的锂离子电池用锰酸锂基正极材料。
机译:用水分活化干法造粒工艺和设计方法使用水分活化干造粒工艺和质量的新型快速崩解片的体外/体内崩解的设计优化和相关性
机译:干法制备氧化铁微粒和纳米颗粒的新工艺:表征,工艺研究和合理机理的建议
机译:氨基二硅烷作为甲硅烷基化剂,用于干法显影的正极性抗蚀剂,用于极紫外(13.5)微光刻