一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法

摘要

本发明提出了一种简单的调控多脉冲纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法，包括：紫外纳秒激光直接垂直入射到单面抛光的半导体材料表面，在表面形成小周期的纳米结构，所述周期性结构的方向可以通过改变入射激光的偏振方向来调控，所述周期性结构的大小和深度可以通过改变入射激光的能量密度、脉冲个数和环境介质来调控。通过本发明在半导体表面制得的纳米结构满足工业大规模表面加工所需的低成本的要求，并且可以改变材料的光学特性、摩擦特性和润湿特性等。