首页> 中国专利> 一种宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法与应用

一种宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料,化学通式为CoaZnbMncXd,其中X为Fe、Ni、Cu、Al、Zr、Cr、Ti中的一种或多种;其中a、b、c、d表示原子摩尔百分比含量,a+b+c+d=100,且25≤a≤45,25≤b≤45,10≤c≤30,0≤d≤10。本发明还公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料的制备方法以及在磁存储器、逻辑运算中的应用。本发明采用上述宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法,能够解决现有的磁斯格明子材料在室温稳定性差的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN115125428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN202210947040.1

  • 发明设计人 张义坤;李领伟;

    申请日2022-08-09

  • 分类号C22C30/02;B22F1/052;B22F3/03;B22F9/04;C22C1/02;C22C30/06;G11C11/16;

  • 代理机构北京圣州专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人朱芳斌

  • 地址 310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号

  • 入库时间 2023-06-19 17:01:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-30

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号