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一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法

摘要

本发明公开了一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法,包括:确定磁晶耦合材料相变过程中各磁场下高场相结构的体积分数λ(H);分别获取磁晶耦合材料零场相和高场相的德拜温度,依据德拜模型计算其零场相和高场相的晶格熵;建立零场相和高场相两相共存模型,计算等温条件下材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SL(H);计算磁晶耦合材料在相转变过程中各磁场下的磁驱晶格熵变ΔSL(H),确定ΔSL(H)趋于饱和时所需的最小磁场,并找出最大晶格熵变所在温区。本发明为在磁制冷材料中构筑强磁晶耦合、增大总熵变、减小驱动磁场、确定最佳制冷工作温区等方面提供必要的解决方案。

著录项

  • 公开/公告号CN115101148A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN202210759010.8

  • 申请日2022-06-29

  • 分类号G16C60/00;

  • 代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐激波

  • 地址 310000 浙江省杭州市下沙高教园区

  • 入库时间 2023-06-19 16:56:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    公开

    发明专利申请公布

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