一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件的制备工艺及保护器件

摘要

本申请实施例提供的一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件的制备工艺及保护器件，本申请通过采用超低电阻率衬底在预设温度下在外延层上表面生长氧化层过程中，衬底中的掺杂杂质向上方外延层扩散，并通过第一次低剂量注入形成第一注入区，第一次较低剂量注入与较高电阻率外延形成缓变结，通过特定温度推进后精准控制高电阻率外延层厚度，并利用穿通效应形成较高工作电压，在第一注入区中进行第二次高剂量注入形成第二注入区以便形成欧姆接触，因为第二注入区的掺杂杂质在外延层中扩散速度比第一注入区的掺杂杂质在外延层中小，因此可以保证形成欧姆接触的同时不影响器件工作电压，本申请可以精准控制高电阻率外延层厚度和PN结耗尽区宽度，器件开启后第一次较低剂量注入与较高电阻率外延层PN耗尽区两侧电阻率较低，从而达到大电流工作条件下降低器件动态阻抗，实现更好的防护效果。