一种具有应变对冲结构的UVB-LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有应变对冲结构的UVB‑LED及其制备方法，该具有应变对冲结构的UVB‑LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、第一应变对冲层、第二应变对冲层、电流扩展层、调制掺杂有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；第一应变对冲层和第二应变对冲层均为Si掺杂的AlGaN膜层，且第一应变对冲层的Al组分百分数大于第二应变对冲层的Al组分百分数。本发明通过在n型AlGaN电子注入层与电流扩展层之间设置两个应变对冲层，缓解来源于AlN层本征层的压应力，改善调制有源层的能带结构，提高UVB‑LED的发光效率。