首页> 中国专利> 一种基于β辐射伏特效应的同位素电池

一种基于β辐射伏特效应的同位素电池

摘要

本发明提供的一种基于β辐射伏特效应的同位素电池,根据换能单元个数不同可以分为单层同位素电池、双层同位素电池、三层同位素电池,甚至一直扩展到N层同位素电池(包含N个换能单元和N‑1个同位素源,N≥4),通过巧妙的设计实现多层同位素电池叠层封装结构。该多层同位素电池包括绝缘壳体、绝缘限位卡具和电池模组,电池模组置于绝缘壳体内,限位卡具置于绝缘壳体内部两侧。目的是针对目前β辐射伏特效应同位素电池能量转换效率偏低、输出电流小、输出功率低且多采用低能同位素源的现状,针对不同材料换能单元,提出一种通用的基于辐射伏特效应的多层同位素电池及其封装结构,能有效提升同位素电池输出性能。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-16

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号