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公开/公告号CN115020275A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 三星显示有限公司;株式会社爱发科;
申请/专利号CN202210202538.5
发明设计人 郑京勳;西口昌男;岩瀬大辅;卢基俊;张万洙;
申请日2022-03-03
分类号H01L21/67;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/56;C23C16/04;C23C16/54;
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人张红霞;周艳玲
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 16:41:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-06
公开
发明专利申请公布
机译: 用于真空处理模块中的真空沉积过程的基质的处理装置,用于基质的处理和处理系统,用于真空处理模块的真空沉积过程中的基质的处理方法以及装置进入真空处理系统
机译: 真空处理装置及使用该真空处理装置的真空处理方法,
机译: 用于胶片的真空处理装置以及使用该真空处理装置的真空处理方法
机译:IPAS手动真空吸气装置验证仪器再处理方法
机译:炉外处理通过上风口将氧化钙吹入循环真空装置的真空室中的钢进行脱硫
机译:Dosimass配料装置,包括巴西真空处理系统的控制装置:控制装置可监控产品成分的定量添加量
机译:真空涂层前聚合物膜的血浆处理方法和装置的研究
机译:真空包装的节能场发射照明装置
机译:用于高压环境中的用于胸膜引流装置的胸膜真空释放装置
机译:用真空辅助闭合装置进行CI挤出的新型处理
机译:所有超高真空原位生长处理方法实现半导体纳米结构阵列