首页> 中国专利> 基于忆阻器的存算一体存算单元和存算阵列

基于忆阻器的存算一体存算单元和存算阵列

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器的存算一体存算单元和存算阵列,该存算单元包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器、第一偏置电流源和第二偏置电流源,其中,第一场效应管、第一忆阻器、第二忆阻器和第三忆阻器依次串联,第一偏置电流源、第二场效应管、第三场效应管和第二偏置电流源依次串联,且第一忆阻器和第二忆阻器均与第二场效应管连接,第二忆阻器和第三忆阻器均与第三场效应管连接,实现了单个存算单元可以输出1.5比特的三种乘加结果,提升了存算单元的存储和计算效率。

著录项

  • 公开/公告号CN115019854A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市金和思锐科技有限公司;

    申请/专利号CN202210461837.0

  • 发明设计人 高润雄;段杰斌;

    申请日2022-04-28

  • 分类号G11C13/00;G06F7/48;

  • 代理机构深圳市江凌专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人左涛

  • 地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)

  • 入库时间 2023-06-19 16:41:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-06

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号