一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。