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公开/公告号CN114996970A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国原子能科学研究院;
申请/专利号CN202210796187.5
发明设计人 吴石;王东杰;曹晗;贺新福;曹金利;贾丽霞;赵永鹏;豆艳坤;王瑾;杨文;
申请日2022-07-07
分类号G06F30/20;G06F119/02;
代理机构北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司;
代理人王鹏鑫
地址 102413 北京市房山区新镇三强路1号院
入库时间 2023-06-19 16:38:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-02
公开
发明专利申请公布
机译: 红外辐射模拟太阳能辐照工艺的过程控制方法及实现该方法的系统
机译: 在薄带过程中产生熔融金属变化和缺陷的原因WM带的方法和子系统,以及通过连续的漏斗产生融合的薄壁的方法
机译: 一种系统和方法,使制造过程和系统中的零缺陷产生
机译:电子辐照研究γ辐照和离子注入在高级核废玻璃模拟物中产生的缺陷中心
机译:碳辐照产生石墨烯中缺陷的分子动力学模拟
机译:MD模拟评估在不同的PKA能量下施加的拉伸应变对辐照引起的缺陷产生的影响
机译:基于硅石的MM纤维系统:脉冲UV Nd-YAG激光辐照过程中产生缺陷
机译:在高能离子辐照过程中,会产生锗的表面缺陷和整体缺陷,以及锗的表面粗糙。
机译:双膜系统中非电解质溶液运输过程中S熵产生的模拟
机译:通过光声光谱学研究半导体缺陷状态和缺陷产生以及通过电流注入声学方法研究半导体激光器的非发射过程。(VI。半导体的晶格弛豫,强耦合电子-晶格系统的动力学性质,科研补助金。 (会议报告)
机译:辐照过程中自由缺陷产生的实验研究:对反应堆环境的影响