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公开/公告号CN115004390A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 密歇根大学董事会;
申请/专利号CN202080094741.4
发明设计人 米泽田;吴远鹏;
申请日2020-12-23
分类号H01L33/06;C30B23/02;C30B29/40;H01L21/02;H01L27/15;
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人李跃龙
地址 美国密歇根
入库时间 2023-06-19 16:38:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-02
公开
国际专利申请公布
机译: III族氮化物激子异质结构
机译: 在具有金刚石晶体结构的衬底和III族氮化物半导体上异质外延生长III族金属表面极性的III族氮化物的方法
机译: III-V族氮化物的集成异质结构III-V族氮化物的杂化结构以及制造半导体材料的方法和制造相同的材料的方法
机译:用于光催化水分裂的应变可调III族氮化物/ ZnO异质结构:混合功能计算
机译:金属有机气相外延生长条件对极性III族氮化物异质结构压缩应变弛豫的影响
机译:III族氮化物薄膜和功率器件异质结构的衬底和外延沉积工艺
机译:半极性III族氮化物LED和LD异质结构中的位错
机译:宽带隙III族氮化物,氧化锌和III-N /氧化锌异质结构的光学性质。
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