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第III族氮化物激子异质结构

摘要

器件包括基材和由基材支撑的多个结构,多个结构中每一结构包括第III族氮化物基物,由第III族氮化物基物支撑的第一和第二个第III族氮化物载流子注入层,和设置在第一和第二个载流子注入层之间的量子异质结构。量子异质结构包括一对第III族氮化物势垒层和设置在一对第III族氮化物势垒层之间的第III族氮化物有源层。第III族氮化物有源层具有用于载流子的量子限域的厚度。一对第III族氮化物势垒层中至少一个具有与第III族氮化物有源层相邻的氮化物表面。

著录项

  • 公开/公告号CN115004390A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 密歇根大学董事会;

    申请/专利号CN202080094741.4

  • 发明设计人 米泽田;吴远鹏;

    申请日2020-12-23

  • 分类号H01L33/06;C30B23/02;C30B29/40;H01L21/02;H01L27/15;

  • 代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李跃龙

  • 地址 美国密歇根

  • 入库时间 2023-06-19 16:38:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    公开

    国际专利申请公布

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