法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-08
授权
发明专利权授予
2022-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/30 专利申请号:2022104747329 申请日:20220429
实质审查的生效
技术领域
本发明属于光电材料和探测器的制备技术领域,具体涉及一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用。
背景技术
作为第二代拓扑绝缘体中的一种,多层硒化铋(Bi
在目前的报道中,以Bi
探索一种简单的方法来制备Bi
发明内容
本发明的目的是为了填补Bi
为了实现上述目的,本发明采取如下技术方案:
一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:配制PVP溶液,向其中加入EDTA和Bi
步骤二:配制NaOH溶液,向其中加入Se粉和抗坏血酸,得到混合溶液B,其中Se粉与NaOH溶液的质量体积比为0.08~0.12g:10ml;
步骤三:按照体积比为1:1的比例将混合溶液A和混合溶液B混合在一起,作为前驱体溶液,采用一步溶剂热法制备得到Bi
进一步的,步骤一中,PVP溶液的浓度为0.035~0.045g/ml。
进一步的,步骤二中,NaOH溶液的浓度为0.016g/ml,抗坏血酸与Se粉的摩尔比为1:1。
进一步的,步骤三中,溶剂热法中的溶剂为乙二醇,溶剂热法的反应温度为190~210℃,反应时间为23~25h。
一种所述的制备方法制备的硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料在自供能光电探测器中的应用,具体包括以下步骤:
步骤1、将硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料分散到无水乙醇中得到分散液,将分散液均匀滴涂在FTO导电衬底表面,干燥处理,制备得到Bi
步骤2、将Bi
进一步的,步骤1中,所述硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料与无水乙醇的质量体积比为0.015g:1~2ml。
进一步的,步骤2中,所述对电极为铂电极。
进一步的,步骤2中,热封膜的热封温度为135~165℃。
进一步的,步骤2中,所述电解液为聚硫电解液。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、在溶剂热法制备Bi
2、Bi
附图说明
图1为Bi
图2为Bi
图3为Bi
图4为Bi
图5为Bi
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。本发明所用化学试剂均为分析纯。
具体实施方式一
一种Bi
步骤一:配制浓度为0.035~0.045g/ml的PVP溶液,向其中加入EDTA和Bi
步骤二:配制浓度为0.016g/ml的NaOH溶液,向其中加入Se粉和抗坏血酸,得到混合溶液B;其中Se粉与NaOH溶液的质量体积比为0.08~0.12g:10ml;抗坏血酸与Se粉的摩尔比为1:1;
步骤三:按照体积比为1:1的比例将混合溶液A和混合溶液B混合在一起,作为前驱体溶液,采用一步溶剂热法得到产物,反应温度为190~210℃,反应时间为23~25h,使用无水乙醇和去离子水将产物分别离心洗涤3次,干燥后得到Bi
进一步的,步骤三中,溶剂热法中的溶剂为乙二醇。
具体实施方式二
一种具体实施方式一所述的制备方法制备的硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料在自供能光电探测器中的应用,具体包括以下步骤:
步骤1、将硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料分散到无水乙醇中得到分散液,将分散液均匀滴涂在FTO导电衬底表面,干燥处理,制备得到Bi
步骤2、将Bi
进一步的,步骤1中,所述硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料与无水乙醇的质量体积比为0.015g:1~2ml。
进一步的,步骤2中,所述对电极为铂电极。
进一步的,步骤2中,热封膜的热封温度为135~165℃。
进一步的,步骤2中,所述电解液为聚硫电解液。
实施例1:
本实施例提供了一种Bi
步骤一:称量0.4g PVP(k16-18),将其加入到10ml乙二醇中,并在磁力搅拌器上搅拌10min,得到0.04g/mL的PVP溶液,将0.438g EDTA和0.232gBi
步骤二:称量0.16gNaOH,将其加入到10ml乙二醇中,并且搅拌1h,得到0.016g/ml的NaOH溶液,将0.102g Se粉和0.264g抗坏血酸加入到NaOH溶液中,继续搅拌30min,得到黑色混合溶液B;
步骤三:将混合溶液A和混合溶液B混合,一起搅拌30min,得到反应的前驱体溶液;将前驱体溶液转移到50ml聚四氟乙烯内胆中,将内胆放入反应釜中,在200℃下反应24h,反应结束后,将产物用去离子水和无水乙醇各离心清洗3次,经过干燥后得到Bi
Bi
Bi
实施例2:
本实施例提供了一种Bi
步骤1:将0.015g Bi
步骤2:在150℃条件下,使用热封膜将Bi
为了更明显地展示出Bi
Bi
Bi
Bi
本发明采用了溶剂热法,在Bi
机译: P-N结法制备铋型硒化物-硒化-铋型碲化物BI2TE3 -BI2TE3-XSEX单晶结构的方法
机译: 为了获得良好的附着力,可以在碲化物,硒化物或锑化铋铋半导体或它们的混合晶体上焊接涂层的生产方法
机译: 用于生产包括琼脂糖或凝胶的硒纳米线的形态学指示剂以及硒纳米线的制造方法