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较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法

摘要

本发明公开了一种较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法。(1)按M2SiO4化学计量比称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl2·6H2O,其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多种,将它们充分混合后加入化学计量比所需的(C2H5O)4Si再次充分混合得到凝胶;(2)将凝胶移至550℃的马弗炉中,30min后取出,研磨后将其在还原气氛炉内800-870℃灼烧1h,在还原气氛中降温到200℃取出,稍加研磨后经过去离子水洗涤、过滤、烘干,得到高纯M2SiO4基质荧光粉。本发明合成温度低(870℃以下)、时间短(1h);工艺流程简单,易于操作,对合成设备要求低,有利于工业化。

著录项

  • 公开/公告号CN101671559B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林理工大学;

    申请/专利号CN200910114408.0

  • 发明设计人 强耀春;张宝林;

    申请日2009-09-19

  • 分类号C09K11/79(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2010-04-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/79 申请日:20090919

    实质审查的生效

  • 2010-03-17

    公开

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