用离子注入方法制造的马约拉纳费米子量子计算器件

摘要

通过在超导体层(410)上形成限定器件区域和器件区域内的感测区域的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。去除感测区域内的超导体层，从而暴露器件区域外部的下面的半导体层(340)的区域。对半导体层的暴露的区域进行注入，形成围绕器件区域的隔离区域(240)。在注入之后使用蚀刻工艺，暴露感测区域和与隔离区域相邻的超导体层的器件区域的部分。通过在感测区域内沉积第一金属层，形成隧道结栅极(204)。通过将半导体层与第二金属层耦合来形成感测区域栅极(202)。还形成化学势栅极(208，210)。使用所述第二金属在感测区域外部的器件区域的部分内形成纳米棒触点(206，212)。