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正方晶格弹性高阶拓扑绝缘体的拓扑优化设计方法及系统

摘要

本发明公开一种正方晶格弹性高阶拓扑绝缘体的拓扑优化设计方法及系统,该拓扑优化设计方法为实现指定工作频率的弹性高阶拓扑绝缘体,对二维正方晶格元胞中材料分布进行反演设计,以获得具有弹性波波导传输和定点局域收集能力的结构。本发明设计得到的正方晶格弹性高阶拓扑绝缘体能够实现弹性波的精确波导和定点局域效果,可用于指定频率区域弹性波的精确调控,充分发挥了高阶拓扑绝缘体的波调控能力。

著录项

  • 公开/公告号CN114722661A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202210295964.8

  • 发明设计人 尹剑飞;郑周甫;温激鸿;郁殿龙;

    申请日2022-03-24

  • 分类号G06F30/23;

  • 代理机构长沙国科天河知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈俊好

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2023-06-19 15:57:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-08

    公开

    发明专利申请公布

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