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一种预测材料自旋霍尔电导及反常霍尔电导的方法

摘要

本发明涉及赫斯勒材料的输运性质领域,具体涉及一种预测材料自旋霍尔电导及反常霍尔电导的方法。本发明针对自旋电子学应用材料的要求,首次结合数据库和高通量第一性原理计算材料数据训练模型,通过采用全势局域轨道最小基代码杜绝了现有赝势算法精准度低的问题;然后通过对哈密顿量的进行遍历和无用项的删减,以克服哈密顿量矩阵复杂度大量膨胀的问题,在保留基本信息的基础上,最大限度上降低了矩阵复杂性。在保证效率的前提下,又增加了计算结果的准确度。本发明有助于加快自旋电子学材料筛选时间,对材料实验合成有指导意义,可推广至其他功能性材料的筛选过程。

著录项

  • 公开/公告号CN114722066A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202210291437.X

  • 发明设计人 张文旭;姬一民;

    申请日2022-03-23

  • 分类号G06F16/242;

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 15:57:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-08

    公开

    发明专利申请公布

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