用于非易失性存储器结构的使用可变跨步电压(DVPGM)的两阶段编程

摘要

一种用于通过四页数据对非易失性存储器结构进行编程的方法，其中所述方法包括：在第一阶段中，选择MLC NAND型存储器单元的片段的四个可编程状态；在第一跨步电压电平下通过四页数据中的两页对所述四个可编程状态中的至少第一个进行编程；在对所述四个可编程状态中的至少两个相邻可编程状态进行编程之间，针对单编程脉冲且根据预定量值将所述第一跨步电压电平增加到第二跨步电压电平；以及在所述第一跨步电压电平下对所述至少两个相邻可编程状态中的后者进行编程。