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一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法

摘要

本公开属于半导体技术领域,具体而言涉及一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法。所述倒装深紫外二极管,包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极,所述N电极,包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜;所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极,所述透明电极包括位于底层的ITO膜,以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜;所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极,所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。以实现减低漏电风险,防止光衰,减小二极管使用功耗并且提高二极管亮度的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN114725265A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202210643048.9

  • 申请日2022-06-09

  • 分类号H01L33/40;H01L33/00;

  • 代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人申龙华

  • 地址 047500 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区

  • 入库时间 2023-06-19 15:55:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-08

    公开

    发明专利申请公布

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