一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片

摘要

本发明提供一种蓝光LED外延片、外延生长方法及蓝光LED芯片，该蓝光LED外延片包括复合衬底、预处理层和缓冲层，所述预处理层和所述缓冲层沉积于所述复合衬底上，所述缓冲层由第一缓冲层和第二缓冲层依次生长的结构，所述复合衬底为SiO2图形衬底，所述预处理层和所述第一缓冲层皆为AlN层，所述第二缓冲层为GaN层，其中，所述预处理层的致密性优于所述第一缓冲层的致密性，由于引入了高致密性的预处理层，可以有效减少复合衬底中的SiO2扩散，同时，在预处理层上沉积的第一缓冲层用于应力释放，从而可以得到更好的GaN外延层，降低缺陷密度，改善了外延层的晶体质量。