RC IGBT以及生产RC IGBT的方法

摘要

公开了RC IGBT以及生产RC IGBT的方法。RC IGBT(1)包括IGBT区段(1‑21)和二极管区段(1‑22)。二极管区段(1‑22)中的多个二极管台面(18)中的至少一些被经由电连接到RC IGBT(1)的发射极端子(11)的第二阳极区(1062)耦合到漂移区(100)。第二阳极区(1062)与二极管区段(1‑22)中的沟槽(16)相比沿着竖向方向(Z)延伸得更深。