首页> 中国专利> 用于先进集成电路结构制造的通过自底向上填充金属化而图案化的金属线

用于先进集成电路结构制造的通过自底向上填充金属化而图案化的金属线

摘要

本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中,一种集成电路结构包括在衬底上方的多条导电互连线,导电互连线中的各条导电互连线具有顶部和侧壁。蚀刻停止层在导电互连线中的各条导电互连线的顶部上并且沿着导电互连线中的各条导电互连线的整个侧壁。

著录项

  • 公开/公告号CN114649297A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202111373889.4

  • 申请日2021-11-19

  • 分类号H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人林金朝

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-06-19 15:43:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    公开

    发明专利申请公布

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