具有选择性偶极子阈值电压移位器的带状或线状晶体管堆叠体

摘要

集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠体，晶体管在其内具有不同的阈值电压(Vt)。在一些示例中，晶体管堆叠体的栅电极可以仅包括一种功函数金属。金属氧化物可以沉积在晶体管堆叠体的一个或多个沟道周围，作为将向(多个)沟道区扩散的金属氧化物物质的固态源。当扩散时，金属氧化物可以保持(例如，作为硅酸盐或铪酸盐)紧邻沟道区，从而改变栅极绝缘体材料的偶极子性质。晶体管堆叠体的不同沟道可以暴露于不同量或不同类型的金属氧化物物质，以在所述堆叠体内提供一定范围的Vt。在扩散之后，金属氧化物可以作为牺牲物被剥离或被保留。