首页> 中国专利> 面向集成电路互连电容提取的高斯面建立方法

面向集成电路互连电容提取的高斯面建立方法

摘要

本申请公开了一种面向集成电路互连电容提取的高斯面建立方法,包括:获取主线网内高斯面中基于三维仿真区域进行网格划分的互连电容提取结果及其包含的导体块信息所在的空间数据信息,控制主线网中每个导体块向外扩大得到与之对应的查询长方体,对每个查询长方体获取与之相交的所有空间格子中包含的导体块得到候选导体列表,若候选导体列表为空,则以该查询长方体对应导体块到上述相交空间格子外边界最小距离的二分之一控制上述对应导体块向外扩大,得到对应的高斯面,否则,以该查询长方体对应导体块到候选导体列表中导体块最小距离的二分之一控制上述对应导体块向外扩大,得到对应的高斯面。由此,实现对主线网中导体块建立高斯面的高效率处理。

著录项

  • 公开/公告号CN114580334A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202210068011.8

  • 发明设计人 喻文健;宋明烨;

    申请日2022-01-20

  • 分类号G06F30/392;G06F30/398;

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人黄德海

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2023-06-19 15:32:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号