一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，解决了背景技术中的技术问题，其包括n‑GaAs衬底，n‑GaAs衬底上自下而上设置有n‑AlxGa1‑xAs限制层、n‑AlxGa1‑xAs波导层、n‑Ga1‑xInxAs1‑yPy势垒层、GaAs量子阱层、p‑GaAs1‑xPx势垒层、p‑AlxGa1‑xAs波导层、p‑AlxGa1‑xAs限制层和p‑GaAs接触层。N型势垒层、量子阱层、P型势垒层中均不含Al组分，避免了工作时Al原子易氧化从而产生缺陷导致载流子泄露的问题，进而延长了器件的工作寿命；非对称势垒结构对增强载流子限制能力、提高半导体激光器的电学性能具有重要意义。