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公开/公告号CN114525461A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 江西铜业技术研究院有限公司;
申请/专利号CN202210062224.X
发明设计人 赵久辉;郭祊鹤;陈岩;肖桥平;周涛;刘昆;
申请日2022-01-19
分类号C22F1/08;C22C9/00;
代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司;
代理人皋吉甫
地址 330096 江西省南昌市高新区高新大道1129号
入库时间 2023-06-19 15:26:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-24
公开
发明专利申请公布
机译: 单晶生长方法和单晶生长坑
机译: 多晶硅储存夹具和制造多晶硅的方法
机译: 涂覆方法,密封材料制造方法,组件制造方法,涂覆装置和密封材料
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机译:超细晶镍中氢气扩散显示的退火后晶界中的结构变化
机译:GH4169合金细晶棒材的连轧工艺及其组织与性能
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机译:液相电弧法制备超细铜球晶