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借助少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法

摘要

本发明实施例公开了一种借助于少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法,该装置包括:清洗模块,所述清洗模块经配置为准备待测硅片并清洗所述硅片;少子寿命测量模块,所述少子寿命测量模块经配置为测量所述硅片的少子寿命;热处理模块,所述热处理模块经配置为针对所述硅片进行热处理;计算器模块,所述计算器模块经配置为记录并计算所述少子寿命测量模块的测量值,并根据所述测量值间接计算所述硅片的捕获金属杂质效率。

著录项

  • 公开/公告号CN114509450A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111633459.1

  • 发明设计人 金铉洙;

    申请日2021-12-29

  • 分类号G01N22/00;G01R21/00;

  • 代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人侯丽丽;姚勇政

  • 地址 710100 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室

  • 入库时间 2023-06-19 15:22:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    公开

    发明专利申请公布

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