首页> 中国专利> 一种提高晶圆良率的晶圆制造方法

一种提高晶圆良率的晶圆制造方法

摘要

本发明公开了一种晶圆制造方法,该方法在消光光阑制作前,先在切割道上形成工艺辅助结构。本发明解决了因涂胶不均匀使得结构厚度均匀差,从而导致指纹芯片采集图像的像素值不均匀的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114512440A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海菲戈恩微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202210063669.X

  • 发明设计人 姜桐;黄昊;刘自涛;

    申请日2022-01-20

  • 分类号H01L21/78;H01L21/027;G06V40/13;

  • 代理机构成都蓉创智汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人谭新民

  • 地址 200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路497号2层203室

  • 入库时间 2023-06-19 15:21:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号