公开/公告号CN114512440A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海菲戈恩微电子科技有限公司;
申请/专利号CN202210063669.X
申请日2022-01-20
分类号H01L21/78;H01L21/027;G06V40/13;
代理机构成都蓉创智汇知识产权代理有限公司;
代理人谭新民
地址 200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路497号2层203室
入库时间 2023-06-19 15:21:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-17
公开
发明专利申请公布
机译: 单晶生长方法和单晶生长坑
机译: 多晶硅储存夹具和制造多晶硅的方法
机译: SiC单晶的制造方法