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一种蒙自兰快速繁殖方法及培养基

摘要

本发明涉及兰科植物快速繁殖领域,公开了一种蒙自兰快速繁殖方法及培养基,包括步骤:S1准备材料,S2无菌播种,S3丛芽增殖,S4生根壮苗,S5移栽。本发明将蒙自兰种子作为外植体,采用不同培养基经过无菌播种、丛芽增殖、壮苗培养和无菌苗移栽的繁殖步骤,可以获得大量幼苗。该种方法具有种子萌发率高、成苗快、种苗品质好、成本低等特点,幼苗移栽成活率高,能为蒙自兰种苗生产提供一条有效途径。

著录项

  • 公开/公告号CN114467747A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海辰山植物园;

    申请/专利号CN202111476878.9

  • 申请日2021-12-06

  • 分类号A01H4/00;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201602 上海市松江区辰花路3888号

  • 入库时间 2023-06-19 15:21:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):A01H 4/00 专利申请号:2021114768789 申请日:20211206

    实质审查的生效

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