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一种可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法

摘要

本发明公开了一种可实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合的方法,属于三维封装互连焊点技术领域。该方法采用锡基焊料,并以(111)取向的纳米孪晶铜作为基板金属化层(UBM)材料,回流焊后进行恒温放置处理,从而实现焊点中金属间化合物内柯肯达尔孔洞自愈合。经恒温时效后,焊点中Cu3Sn平均厚度不大于2μm,且所得焊点中柯肯达尔孔洞中的85%以上达到自愈合。本发明减少了IMC层中由孔洞产生引起的缺陷,从而提升了焊点的服役可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114453694A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳先进电子材料国际创新研究院;

    申请/专利号CN202210151986.7

  • 发明设计人 刘志权;周士祺;薛森明;孙蓉;

    申请日2022-02-18

  • 分类号B23K1/012;B23K1/20;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518103 广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区

  • 入库时间 2023-06-19 15:15:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-10

    公开

    发明专利申请公布

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