一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法

摘要

本发明涉及一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法，属于微波吸收材料技术领域。本发明将Si(OC2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A，Y(NO3)3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B；室温下，溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C，凝胶C干燥得到干凝胶，干凝胶研磨成凝胶粉，凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400～1500℃的空气中烧结热处理2～3h，得到Y2Si2O7粉末；Y2Si2O7粉末采用碳化硅化学气相渗透技术沉积，得到SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经温度为1100～1200℃下氧化2～3h，得到SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经氮化硅化学气相渗透技术沉积得到Si3N4/SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷。本发明复相陶瓷的电磁波吸收性能的可控性调节。