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Bi2Se3基拓扑新材料Ti0.1Bi2Se3单晶及其制备方法

摘要

本发明公开了Bi2Se3基拓扑新材料Ti0.1Bi2Se3单晶及其制备方法,本发明将Ti粉、Bi粉、Se粉这三种初始固体粉末化合物按比例在研钵中进行充分的混合,利用压片机进行压片;将压片后的样品放入到石英管中进行真空封管,利用泵组对竖直连接的试管进行抽真空;再将封装好样品的试管放在管式炉中进行加热,然后将试管取出,放入冰水中进行淬火;得到所述单晶。本发明利用合适的温度和温度梯度加热进行固体化学反应,并以合适温度进行淬火,从而促成固体化学反应后的样品顺利结晶;保证了原材料成分处于双温区充分燃烧和其进行固体化学反应的时间和温控所需的参数等,以提高Ti0.1Bi2Se3的单晶产量。

著录项

  • 公开/公告号CN114438599A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州大学;

    申请/专利号CN202210125109.2

  • 发明设计人 吴国庆;余梦云;曹荣幸;张金波;

    申请日2022-02-10

  • 分类号C30B29/46;C30B1/02;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 225009 江苏省扬州市大学南路88号

  • 入库时间 2023-06-19 15:11:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    公开

    发明专利申请公布

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