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一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案

摘要

本发明公开了一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案,包括固态硬盘,所述固态硬盘包括四个MRAM芯片、NAND芯片和控制器,四个MRAM芯片组成数据缓存器。本发明可以做到异常掉电无任何数据丢失,替用户保存珍贵的数据,可在异常掉电的“断点”处继续接收未传输完成的数据,节约重复传输时间,采用把文件系统存储在MRAM内的方法,可大幅提高固态硬盘的稳定、可靠性,可以广泛应用于医疗电子,数据中心,军工电子等,可以大幅提高固态硬盘的使用寿命,可以大幅提高固态硬盘的随机写性能。

著录项

  • 公开/公告号CN114442960A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新拓尼克科技(成都)有限公司;

    申请/专利号CN202210111855.6

  • 发明设计人 杨炳生;

    申请日2022-01-27

  • 分类号G06F3/06;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610000 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府四街199号2栋12层6号

  • 入库时间 2023-06-19 15:11:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    公开

    发明专利申请公布

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