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一种大幅度增加固态硬盘使用寿命的存储方案

摘要

本发明公开了一种大幅度增加固态硬盘使用寿命的存储方案,包括两个MRAM芯片、一个DDR芯片、NAND芯片阵列和控制器,两个MRAM芯片与DDR芯片共用数据总线,组成数据混合缓存器,所述MRAM芯片存储空间划分为获取缓存空间和修订缓存空间。本发明采用数据非易失的MRAM作为缓存器,MRAM具有存储速度快,无需擦除可直接读写,使用寿命接近无限等特点,可以大幅度的提高固态硬盘的使用寿命,可以大幅度提高固态硬盘的随机写性能。

著录项

  • 公开/公告号CN114428590A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新拓尼克科技(成都)有限公司;

    申请/专利号CN202210099670.8

  • 发明设计人 杨炳生;

    申请日2022-01-27

  • 分类号G06F3/06;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610000 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府四街199号2栋12层6号

  • 入库时间 2023-06-19 15:10:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 专利申请号:2022100996708 申请日:20220127

    实质审查的生效

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