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有机半导体器件的源极/漏极用电极、使用其的有机半导体器件以及它们的制造方法

摘要

本公开提供一种微细的电极,其能使有机半导体不易经时变化而用于有机半导体器件的实际使用的集成电路的制造。本公开涉及一种源极/漏极用电极,其是有机半导体器件的源极/漏极用电极,该源极/漏极用电极包含10组以上的电极,所述各组的电极之间的沟道长度为200μm以下,所述各组的电极具有表面粗糙度Rq为2nm以下的面。

著录项

  • 公开/公告号CN114424355A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国立大学法人东京大学;

    申请/专利号CN202080061994.1

  • 发明设计人 竹谷纯一;渡边峻一郎;牧田龙幸;

    申请日2020-06-18

  • 分类号H01L51/10;H01L51/05;H01L51/40;

  • 代理机构北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人吕琳;朴秀玉

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 15:05:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/10 专利申请号:2020800619941 申请日:20200618

    实质审查的生效

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