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公开/公告号CN114424605A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-29
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN202080066101.2
发明设计人 朱西鹏;S·B·李;R·阿加瓦尔;L·F·B·洛佩斯;O·厄兹蒂尔克;M·北添;何林海;H·D·李;
申请日2020-10-01
分类号H04W12/041;H04W36/00;H04W36/38;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人赵腾飞
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 15:05:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H04W12/041 专利申请号:2020800661012 申请日:20201001
实质审查的生效
机译:使用SiN MOSFET延长随机数发生器寿命的技术:通过设计用途实现具有高安全性和长期可靠性的随机数发生器电路
机译:随机数生成元件的寿命使用SIN MOSFET:随机数生成电路,具有高安全性和长期可靠性的使用设备
机译:过程自动化差压和压力变送器:从MEMS传感器到安全标准相应的发射器:MEMS传感器到安全标准相应的发射器:MEMS传感器到安全标准支持变送器
机译:可靠性和安全融合 - 安全和信任模型的考虑
机译:重组人血小板生成素用于原发免疫性血小板减少症维持治疗的有效性和安全性——多中心临床研究
机译:量子密钥分发中波长相关攻击安全性研究