一种Fc-MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法

摘要

本发明涉及一种Fc‑MS/AAO异质结纳米通道的超组装制备方法，首先利用超组装方法在AAO表面构建了一种超薄、有序的介孔氧化硅层作为离子选择性门控层，再采用两步修饰策略，利用3‑氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对介孔氧化硅层进行氨基化修饰，通过氨基与醛基共价反应，将二茂铁修饰在介孔氧化硅层上，最终获得离子传递通道有序、通道密度高的异质结纳米通道Fc‑MS/AAO，其表面丰富的二茂铁基，为后续智能纳流控纳米通道器件在传感和门控等领域应用提供了丰富的官能团。