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衬底通孔及制造衬底通孔的方法

摘要

一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20),该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。TSV还包括:金属化层(30),其与绝缘层(20)的至少部分以及与所述沟槽(14)的底壁(16)的至少部分相邻设置;再分布层(40),其与金属化层(30)的至少部分以及与绝缘层(20)的与表面(13)相邻设置的部分相邻设置;以及覆盖层(50),其与金属化层(30)的至少部分以及与再分布层(40)的至少部分相邻设置。绝缘层(20)和/或覆盖层(50)包括在材料特性方面彼此不同的子层(21、22、51、52)。子层中的第一层(21、51)与侧壁(15)的至少部分以及与表面(13)的至少部分相邻设置,并且子层中的第二层(22、52)与表面(13)的至少部分相邻设置。

著录项

  • 公开/公告号CN114342061A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AMS有限公司;

    申请/专利号CN202080061616.3

  • 申请日2020-08-27

  • 分类号H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人程强;刘继富

  • 地址 奥地利普伦斯塔滕

  • 入库时间 2023-06-19 14:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    公开

    国际专利申请公布

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