首页> 中国专利> 一种岛膜结构硅压阻传感器装置

一种岛膜结构硅压阻传感器装置

摘要

本发明提供一种岛膜结构硅压阻传感器装置,包括衬底(1),在衬底(1)上设有压力敏感层(2),在衬底(1)上设有第一槽体(3),在压力敏感层(2)底部设有与第一槽体(3)连通的第二槽体(4),在第二槽体(4)内设有岛状结构(5),在压力敏感层(2)上设有氧化层(6),在压力敏感层(2)设有一组向上穿透氧化层(6)的盲孔(7),在盲孔(7)内设有压敏电阻(8),在氧化层(6)均布有一组焊盘(10),在氧化层(6)上设有连通焊盘(10)和压敏电阻(8)引线(9)。本发明基于小尺寸敏感层和E型岛膜结构结合,很好的兼顾芯片高灵敏度和线性度性能,实现传感器对敏感芯片小尺寸、高灵敏度,高精度、高可靠的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN114295262A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东光电集成器件研究所;

    申请/专利号CN202111479343.7

  • 申请日2021-12-07

  • 分类号G01L1/18(20060101);G01L9/06(20060101);G01L9/00(20060101);

  • 代理机构34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人杨晋弘

  • 地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号

  • 入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号