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公开/公告号CN114302930A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-08
原文格式PDF
申请/专利权人 三星SDI株式会社;
申请/专利号CN202080060553.X
发明设计人 李知虎;南沇希;辛奈律;李泳基;李永熙;李锺元;
申请日2020-10-28
分类号C09G1/02(20060101);H01L21/321(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人王欢;刘芳
地址 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)
入库时间 2023-06-19 14:48:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-08
公开
国际专利申请公布
机译:使用新提出的抛光工具抛光精密光学部件:用于深紫外线的第二次报告抛光CaF {sub} 2单晶球面透镜
机译:精密光学零件的抛光方法通过抛光工具的新建议:第2次报告抛光CAF {Sub} 2单晶球形透镜
机译:复合半导体衬底的抛光/ CMP处理-基于处理机理的GaAs晶体和CdTe晶体的CMP浆料
机译:通过电化学机械抛光(第1次报告) - 改善抛光速率的研究,对单晶SiC板的高效率,损坏自由抛光
机译:研磨引起的Bi_8SrCaO_(14)晶体到非晶的转变