一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法

摘要

本发明公开一种判断单晶硅片侧面晶向偏转角度的方法，涉及晶体生长技术领域，包括：将单晶硅片按照其解理面破裂；选择破碎的单晶硅片的断裂面，断裂面包含至少一个直角的端面角度，且断裂面的一个边缘面为单晶硅片的边缘面；量测断裂面中单晶硅片的边缘面与其相邻端面之间的夹角α；判断单晶硅片的侧面晶向偏转角度θ。本发明还公开了一种判断籽晶的侧面晶向的加工偏差的方法，该籽晶为铸造单晶硅锭用籽晶。与现有技术相比，本发明采用简单的角度尺即可测量得到单晶硅片的侧面晶向偏转角度以及基础籽晶之间的侧面晶向的加工偏差，这两种方法都简单方便，准确度高，适合规模化生产中的应用。