一种β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。