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制造集成电路的方法和静电放电测试系统

摘要

在一种涉及执行静电放电(ESD)测试的制造集成电路的方法中,通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括集成电路的第一测试板上来检测弱频带。通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括电磁波接收模块的第二测试板上来检测第一峰峰电压信号。通过将第二电磁波辐射在包括具有电磁波接收模块的第三测试板的壳体上来检测频谱。基于弱频带、第一峰峰电压信号和频谱来产生第二峰峰电压信号。基于第二峰峰电压信号来预测与包括集成电路的电子系统相关联的ESD特性。

著录项

  • 公开/公告号CN114252714A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202111093625.3

  • 发明设计人 姜奉圭;张溁洙;金熙洙;

    申请日2021-09-17

  • 分类号G01R31/00(20060101);G01R31/28(20060101);

  • 代理机构11330 北京市立方律师事务所;

  • 代理人李娜;王凯霞

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 14:42:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    公开

    发明专利申请公布

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