具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管，及形成集成晶体管的方法

摘要

一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有半导体材料立柱。所述立柱具有基座区域，且分叉成两个区段，所述两个区段从所述基座区域向上延伸。所述两个区段通过中间区域彼此水平间隔开。导电栅极位于所述中间区域内。第一源极/漏极区域位于所述基座区域内，第二源极/漏极区域位于所述区段内，且沟道区域位于所述区段内。所述沟道区域邻近于所述导电栅极且垂直安置在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间。一些实施例包含形成集成组合件的方法。